Nhà sản xuất vi mạch Nhật Bản kioxia phát triển bộ nhớ flash NAND với khoảng 170 lớp, tham gia cùng đối tác Micron Technology của Mỹ và SK Hynix của Hàn Quốc trong việc phát triển các công nghệ tiên tiến.
Bộ nhớ NAND mới được phát triển cùng với đối tác Mỹ Western Digital và có thể ghi dữ liệu nhanh gấp đôi so với sản phẩm hàng đầu hiện nay của Kioxia gồm 112 lớp.
Trước đây được gọi là Bộ nhớ Toshiba, Kioxia có kế hoạch công bố NAND mới của mình tại Hội nghị Chất rắn Quốc tế, diễn đàn toàn cầu thường niên của ngành công nghiệp bán dẫn và có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt vào đầu năm tới.
Nó hy vọng sẽ đáp ứng nhu cầu liên quan đến trung tâm dữ liệu và điện thoại thông minh, khi sự lan rộng của công nghệ không dây thế hệ thứ năm dẫn đến tăng khối lượng và tốc độ truyền dữ liệu. Nhưng sự cạnh tranh trong lĩnh vực này đã ngày càng gay gắt: Micron và SK Hynix đang công bố các sản phẩm mới của họ.
Kioxia cũng đã quản lý để lắp nhiều ô nhớ hơn trên mỗi lớp với NAND mới của mình, nghĩa là nó có thể tạo ra các chip nhỏ hơn 30% so với các chip khác có cùng dung lượng bộ nhớ. Các vi mạch nhỏ hơn sẽ cho phép linh hoạt hơn trong việc tạo ra điện thoại thông minh, máy chủ và các sản phẩm khác.
Để tăng cường sản xuất bộ nhớ flash, Kioxia và Western Digital có kế hoạch khởi công xây dựng một nhà máy trị giá 9,45 tỷ USD ở Yokkaido, Nhật Bản vào mùa xuân này. Họ đặt mục tiêu đưa những dây chuyền đầu tiên vào hoạt động sớm nhất là vào năm 2022.
Đọc thêm: